檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "doping".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="p\u002Dn二極體"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶,製備出p型Zn摻雜…
2
本實驗成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Mg摻雜InGaN薄膜。並且也成功的將GaN薄膜與摻雜Mg的InGaN薄膜堆疊製作成二極體觀察其電特性。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD、霍爾…
3
本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜,並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…